ADVANCE電弧等離子體沉積源APS-1理工
電弧等離子體沉積源APS-1，電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列
ADVANCE電弧等離子體沉積源APS-1理工
ADVANCE電弧等離子體沉積源APS-1理工
電弧等離子體沉積源APS-1，電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列
產(chǎn)品介紹
電弧等離子體沉積源 APS-1
同時(shí)沉積不同的“目標(biāo)”。
通過(guò)將這種蒸鍍?cè)刺砑拥浆F(xiàn)有的電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列或您自己的真空室中，可以同時(shí)蒸鍍不同的“目標(biāo)”，從而可以生成具有新特性的材料。
用法
生成具有多個(gè)沉積源的化合物
添加到現(xiàn)有的真空室
特征
納米粒子的尺寸比傳統(tǒng)的濕法更均勻，因此可以生產(chǎn)出高活性的催化劑。
納米顆粒尺寸可選擇約 1.5nm 至 6nm
通過(guò)改變氣氛容易產(chǎn)生氧化物和氮化物
如果有相當(dāng)于ICF070（VG50）的法蘭，則可以任意方向安裝。
無(wú)需水冷設(shè)備，維護(hù)方便
規(guī)格
目標(biāo)維度 | φ10mm×長(zhǎng)17mm |
電路板尺寸 | φ 2 英寸（φ 50 毫米） |
沉積速度 | 0.01 納米/秒至 0.3 納米/秒*1 |
膜厚分布 | 對(duì)于 Fe：< ± 10 %（φ 20 mm 區(qū)域）*1 |
可以沉積的材料 | 一般導(dǎo)電材料*2 |
電弧等離子體法納米粒子形成裝置APD系列
使用脈沖真空電弧放電的新型納米粒子形成裝置
脈沖真空電弧沉積是一種在簡(jiǎn)單過(guò)程中生成金屬離子并形成超薄膜和納米粒子的方法。
可以獲得其他氣相沉積方法無(wú)法獲得的效果，例如薄膜平坦性和微粒形成。
用途
APD-S（基板沉積模型）
金屬薄膜（磁性、等離子體、保護(hù)膜）
使用APD-P（粉末支撐型）納米顆粒的燃料電池催化劑、尾氣催化劑、光催化劑、VOC分解催化劑、碳納米管催化劑、等離子體激元
特征
通過(guò)改變電容器的電容量，納米粒子的粒徑可以在大約 1.5 nm 到 6 nm 之間自由選擇。
任何導(dǎo)電材料（靶）都可以變成等離子體* 靶的比電阻為 0.01Ωcm 或更小
通過(guò)改變氣氛容易產(chǎn)生氧化物和氮化物
與濕法工藝相比，負(fù)載型納米顆粒表現(xiàn)出更高的催化活性
