OSI雪崩硅光電二極管，適用于紫外到近紅外波段
硅光電二極管用于檢測紫外線到近紅外波段的光，是一種半導體器件，OSI Optoelectronics公司開發(fā)了多種適用于該光譜范圍內(nèi)的硅光電二極管，并適用于該波段范圍內(nèi)的多種應用，例如功率監(jiān)測、位置感應、X射線與伽馬射線檢測等。除了多種標準品還可以提供定制，定制光電二極管可以聯(lián)系咨詢我們。
OSI Optoelectronics公司所開發(fā)的多種硅光電二極管有36種類型，以下列出其中的幾種光電二極管技術(shù)參數(shù)提供參考，分別為1064nmNd:YAG光電二極管、Nd:YAG光電二極管、雪崩光電二極管(APD)、背照式SMT光電二極管、反向散射光電探測器、藍色增強光電二極管、放大器混合型探測器濾光片組合、位置傳感探測器、線性陣列光電二極管、紫外線增強99%QE光電二極管等等。
OSI 1064納米Nd:YAG光電二極管
Nd:YAG系列OSI硅光電探測器針對1064nm波長（Nd:YAG激光光源）進行了優(yōu)化。它們具有低電容和快速響應時間。由于其低噪聲和高響應性，它們是測量低光強度的理想選擇，例如測距應用中由Nd:YAG激光束照射物體反射的光。
OSI硅光電探測器既可以在光伏模式（無偏置）下運行，適用于對低噪聲有要求的應用場景，也可以在光電導模式下偏置運行，適用于高速應用。
| 型號 | 有效面積 | 峰值波長 | 響應度 | 暗電流 | 電容 | 封裝 |
| PIN-5-YAG | 5.1mm2 | 1000nm | 0.4A/W | 10nA | 5pF | TO-5 |
| PIN-100-YAG | 100mm2 | 1000nm | 0.4A/W | 80nA | 25pF | Metal |
| SPOT-9-YAG | 19.6mm2 | 1000nm | 0.4A/W | 12nA | 7pF | Metal |
| SPOT-11-YAG-FL | 26mm2 | 1000nm | 0.42A/W | 14nA | 12pF | Metal |
| SPOT-13-YAG-FL | 33.7mm2 | 1000nm | 0.42A/W | 16nA | 14pF | Metal |
| SPOT-15-YAG | 38.5mm2 | 1000nm | 0.42A/W | 50nA | 15pF | Metal |
雪崩光電二極管
硅雪崩光電二極管利用內(nèi)部倍增效應，通過碰撞電離實現(xiàn)增益。其結(jié)果是一系列優(yōu)化的高響應度器件，表現(xiàn)出優(yōu)異的靈敏度。OSI提供多種尺寸的OSI光電二極管，適用于光纖應用，這些OSI Optoelectronics硅光電二極管可配備平面窗口或球形透鏡。
| 型號 | 有效面積直徑 | 增益 | 靈敏度@增益M | 暗電流@增益M | 電容 | 封裝 |
| APD02-8-150-xxxx | 0.2mm | 100 | 50A/W | 0.05nA | 1.5pF | T-52 |
| APD05-8-150-xxxx | 0.5mm | 100 | 50A/W | 0.1nA | 3pF | T-52 |
| APD10-8-150-xxxx | 1mm | 100 | 50A/W | 0.2nA | 6pF | T-52 |
| APD15-8-150-xxxx | 1.5mm | 100 | 50A/W | 0.5nA | 10pF | TO-5 |
| APD30-8-150-xxxx | 3mm | 60 | 30A/W | 1nA | 40pF | TO-5 |
| APD50-8-150-xxxx | 5mm | 40 | 20A/W | 3nA | 105pF | TO-8 |
藍色增強光電二極管
硅藍色增強光電二極管用于需要高靈敏度和中等響應速度的應用，藍色增強光電二極管系列在可見光藍色區(qū)域增加了額外的靈敏度。光譜響應范圍從350到1100納米，使得常規(guī)光伏器件非常適合可見光和近紅外應用。這些OSI Optoelectronics硅光電二極管具有高分流電阻和低噪聲，并具有長期穩(wěn)定性。在直流或低速應用中，這些OSI光電二極管的無偏差運行可在較大的溫度變化下保持穩(wěn)定。對于高光強(大于10mW/cm2)情況，應考慮使用光導系列探測器以獲得更好的線性度。
| 型號 | 有效面積 | 靈敏度 | 分流阻抗 | 上升時間 | 電容 | 封裝 |
| OSD1-5T | 1mm2 | 0.21A/W | 250GΩ | 7ns | 35pF | TO-18 |
| OSD3-5T | 3mm2 | 0.21A/W | 100GΩ | 9ns | 80pF | TO-18 |
| OSD5-5T | 5mm2 | 0.21A/W | 100GΩ | 9ns | 130pF | TO-5 |
| OSD15-5T | 15mm2 | 0.21A/W | 50GΩ | 12ns | 390pF | TO-5 |
| OSD60-5T | 62mm2 | 0.21A/W | 3GΩ | 30ns | 1800pF | TO-8 |
| OSD100-5TA | 100mm2 | 0.21A/W | 2 GΩ | 45ns | 2500pF | Special |
| PIN-040DP/SB | 0.81mm2 | 0.20A/W | 600GΩ | 0.02ns | 60pF | TO-18 |
| PIN-040DP/SB | 5.1mm2 | 0.20A/W | 150GΩ | 0.2ns | 450pF | TO-5 |
| PIN-10DP/SB | 100mm2 | 0.20A/W | 10GΩ | 2ns | 8800pF | BNC |
| PIN-10DPI/SB | 100mm2 | 0.20A/W | 10GΩ | 2ns | 8800pF | Metal |
| PIN- 220DP/SB | 200mm2 | 0.20A/W | 5GΩ | 2ns | 17000pF | Plastic |
OSI線性陣列光電二極管
線性陣列光電二極管由彼此相鄰放置的多個單元素光電二極管組成，在公共陰極基板上形成一維感測區(qū)域。它們可以同時測量一個或多個波長的移動光束它們具有低電串擾和相鄰元件之間的超高均勻性，從而實現(xiàn)非常高精度的測量。在需要大量探測器時，線性陣列提供了一種低成本的替代方案。OSI線性陣列光電二極管針對紫外、可見或近紅外范圍進行了優(yōu)化。
線性陣列光電二極管可以工作在光導模式(反向偏置)以減少響應時間，或者在光伏模式（無偏置）下用于低漂移應用。A2V-16可以耦合到任何閃爍體晶體，用于測量電磁頻譜的X射線和伽馬射線區(qū)域中的高能光子此外，它們經(jīng)過機械設計，因此在需要超過16個元件的應用中，多個A2V-16可以首尾相連地安裝在一起。
| 型號 | 每個元素有效面積直徑 | 元素數(shù)量 | 間距 | 在1550nm響應率 | 電容 |
| A2V-16 | 75µm | 16 | 1.59mm | 0.60A/W | 170pF |
| A5C-35 | 75µm | 35 | 0.99mm | 0.65A/W | 12pF |
| A5V-35 | 75µm | 35 | 0.99mm | 0.60A/W | 340pF |
| A5V-35UV | 75µm | 35 | 0.99mm | 0.06A/W@254nm | 340pF |
| A5C-38 | 75µm | 38 | 0.99mm | 0.65A/W | 12pF |
| A5V-38 | 75µm | 38 | 0.99mm | 0.60A/W | 340pF |
| A2V-76 | 75µm | 76 | 0.31mm | 0.50A/W | 160pF |
紫外線增強99%QE光電二極管
OSI光電提供兩種不同的紫外線增強硅光電二極管系列。反轉(zhuǎn)通道系列和平面擴散系列。這兩個系列的器件都是專為電磁波譜紫外區(qū)的低噪聲檢測而設計的。
反轉(zhuǎn)層結(jié)構(gòu)UV增強光電二極管表現(xiàn)出99%的內(nèi)部量子效率，非常適合低強度光的測量。它們具有高分流電阻、低噪聲和高擊穿電壓。當施加5至10伏反向偏壓，整個表面的響應均勻性和量子效率提高。在光伏模式(無偏置)下，電容高于擴散設備，但隨著反向偏壓的施加會迅速下降。與擴散器件相比，反轉(zhuǎn)層器件的光電流非線性設置在較低的光電流下。在700nm以下，它們的響應度隨溫度變化不大。
| 型號 | 有效面積 | 靈敏度@254nm | 分流電阻 | 電容 | 封裝 |
| UV-005 | 5.1mm2 | 0.14A/W | 200MΩ | 300pF | TO-5 |
| UV-015 | 15mm2 | 0.14A/W | 100MΩ | 800pF | TO-5 |
| UV-20 | 20mm2 | 0.14A/W | 50MΩ | 1000pF | TO-8 |
| UV-35 | 35mm2 | 0.14A/W | 30MΩ | 1600pF | TO-8 |
| UV-35P | 35mm2 | 0.14A/W | 30MΩ | 1600pF | Plastic |
| UV-50 | 50mm2 | 0.14A/W | 20MΩ | 2500pF | BNC |
| UV-100 | 100mm2 | 0.14A/W | 10MΩ | 4500pF | BNC |
| UV-100L | 100mm2 | 0.14A/W | 10MΩ | 4500pF | Low Profile |
紫外增強近紅外抑制光電二極管
OSI系列平面擴散結(jié)構(gòu)的紫外增強型光電二極管與反轉(zhuǎn)層器件相比顯示出顯著優(yōu)勢，如更低的電容和更高的響應時間。與反轉(zhuǎn)層器件相比，這些器件表現(xiàn)出高達更高的光輸入功率的光電流線性。他們相較于反轉(zhuǎn)層器件具有相對較低的響應度和量子效率。目前有兩種平面擴散紫外增強型光電二極管可供選擇，UVDQ系列和UVEQ系列。這兩個系列在電光特性上幾乎相同，但UVEQ系列中，設備對近紅外區(qū)域的響應被抑制。如果需要阻擋光譜中的近紅外區(qū)域，這一點尤其可取。
| 型號 | 有效面積 | 峰值波長 | 分流電阻 | 反向電壓 | 封裝 |
| UV-005EQ | 5.7mm2 | 720nm | 20GΩ | 140V | TO-5 |
| UV-005EQC | 5.7mm2 | 720nm | 20GΩ | 140V | Ceramic |
| UV-013EQ | 13mm2 | 720nm | 10GΩ | 280V | TO-5 |
| UV-035EQ | 34mm2 | 720nm | 5GΩ | 800V | TO-8 |
| UV-035EQC | 34mm2 | 720nm | 5GΩ | 800V | Ceramic |
| UV-100EQ | 100mm2 | 720nm | 2GΩ | 2500V | BNC |
| UV-100EQC | 100mm2 | 720nm | 2GΩ | 2500V | Ceramic |
