電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗箱規(guī)格：
內(nèi)尺寸：50×60×55㎝(W*D*H)╳2內(nèi)容積：165L*2臺
外尺寸：115×158×184㎝(W*D*H)
溫度范圍：-70℃～+150℃(氣冷式)
濕度范圍：10%～98%RH
降溫速率：20℃～-70℃/85min(空載下)
升溫速率：20℃～+150℃/45min(空載下)
發(fā)熱負載：250W.(40℃,90%RH)
溫度穩(wěn)定度：±0.2℃
濕度穩(wěn)定度：±2%
電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗箱 www.uvlhsyx.com ，用來測試材料結(jié)構或復合材料，在瞬間下經(jīng)*溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度,藉以在短時間內(nèi)試驗其因熱脹冷縮所引起的化學變化或物理傷害.適用的對象包括金屬,塑料,橡膠,電子....等材料,可作為其產(chǎn)品改進的依據(jù)或參考
為了仿真不同電子構件，在實際使用環(huán)境中遭遇的溫度條件，改變環(huán)境溫差范圍及急促升降溫度改變，可以提供更為嚴格測試環(huán)境，縮短測試時間，降低測試費用，但是必須要注意可能對材料測試造成額外的影響，產(chǎn)生非使用狀態(tài)的破壞試驗。(需把握在失敗機制依然未受影響的條件下)RAMP試驗條件標示為：TemperatureCycling或TemperatureCyclingTest也就是溫度循環(huán)(可控制斜率的溫度沖擊)。

電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗箱滿足標準：
1、GB/T2423.1-2001低溫試驗方法；
2、GB/T2423.2-2001高溫試驗方法；
3、GB/T2423.22-1989溫度變化試驗N；
4、國GJB150.3-86；
5、國GJB150.4-86；
6、國GJB150.5-86；
7、GJB150.5-86溫度沖擊試驗；
8、GJB360.7-87溫度沖擊試驗；
9、GJB367.2-87405溫度沖擊試驗。
10、SJ/T10187-91Y73系列溫度變化試驗箱——一箱式
11、SJ/T10186-91Y73系列溫度變化試驗箱——二箱式
12、滿足標準IEC68-2-14_試驗方法N_溫度變化
10、GB/T2424.13-2002試驗方法溫度變化試驗導則
11、GB/T2423.22-2002溫度變化
12、QC/T17-92汽車零部件耐候性試驗一般規(guī)則,
13、EIA364-32熱沖擊（溫度循環(huán)）

電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗箱應用范圍：
高低溫交變濕熱環(huán)境試驗箱，用于電子電器零組件、自動化零部件通訊組件、汽車配件、金屬、化學材料、塑膠等行業(yè)，國防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC半導體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測試其材料對高、低溫的反復抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學變化或物理傷害，可確認產(chǎn)品的品質(zhì),從精密的IC到重機械的組件，無一不需要它的理想測試工具.

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