電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱規(guī)格：
內(nèi)尺寸：50×60×55㎝(W*D*H)╳2內(nèi)容積：165L*2臺(tái)
外尺寸：115×158×184㎝(W*D*H)
溫度范圍：-70℃～+150℃(氣冷式)
濕度范圍：10%～98%RH
降溫速率：20℃～-70℃/85min(空載下)
升溫速率：20℃～+150℃/45min(空載下)
發(fā)熱負(fù)載：250W.(40℃,90%RH)
溫度穩(wěn)定度：±0.2℃
濕度穩(wěn)定度：±2%
電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱 www.uvlhsyx.com ，用來(lái)測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng)*溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度,藉以在短時(shí)間內(nèi)試驗(yàn)其因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害.適用的對(duì)象包括金屬,塑料,橡膠,電子....等材料,可作為其產(chǎn)品改進(jìn)的依據(jù)或參考
為了仿真不同電子構(gòu)件，在實(shí)際使用環(huán)境中遭遇的溫度條件，改變環(huán)境溫差范圍及急促升降溫度改變，可以提供更為嚴(yán)格測(cè)試環(huán)境，縮短測(cè)試時(shí)間，降低測(cè)試費(fèi)用，但是必須要注意可能對(duì)材料測(cè)試造成額外的影響，產(chǎn)生非使用狀態(tài)的破壞試驗(yàn)。(需把握在失敗機(jī)制依然未受影響的條件下)RAMP試驗(yàn)條件標(biāo)示為：TemperatureCycling或TemperatureCyclingTest也就是溫度循環(huán)(可控制斜率的溫度沖擊)。

電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱滿足標(biāo)準(zhǔn)：
1、GB/T2423.1-2001低溫試驗(yàn)方法；
2、GB/T2423.2-2001高溫試驗(yàn)方法；
3、GB/T2423.22-1989溫度變化試驗(yàn)N；
4、國(guó)GJB150.3-86；
5、國(guó)GJB150.4-86；
6、國(guó)GJB150.5-86；
7、GJB150.5-86溫度沖擊試驗(yàn)；
8、GJB360.7-87溫度沖擊試驗(yàn)；
9、GJB367.2-87405溫度沖擊試驗(yàn)。
10、SJ/T10187-91Y73系列溫度變化試驗(yàn)箱——一箱式
11、SJ/T10186-91Y73系列溫度變化試驗(yàn)箱——二箱式
12、滿足標(biāo)準(zhǔn)IEC68-2-14_試驗(yàn)方法N_溫度變化
10、GB/T2424.13-2002試驗(yàn)方法溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
11、GB/T2423.22-2002溫度變化
12、QC/T17-92汽車零部件耐候性試驗(yàn)一般規(guī)則,
13、EIA364-32熱沖擊（溫度循環(huán)）

電子芯片高低溫交變濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱應(yīng)用范圍：
高低溫交變濕熱環(huán)境試驗(yàn)箱，用于電子電器零組件、自動(dòng)化零部件通訊組件、汽車配件、金屬、化學(xué)材料、塑膠等行業(yè)，國(guó)防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測(cè)試其材料對(duì)高、低溫的反復(fù)抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害，可確認(rèn)產(chǎn)品的品質(zhì),從精密的IC到重機(jī)械的組件，無(wú)一不需要它的理想測(cè)試工具.

更多產(chǎn)品：高度溫度測(cè)試設(shè)備 高低溫交變濕熱試驗(yàn)室翻譯 薄膜材料高低溫沖擊試驗(yàn)室 塑膠高低溫交變濕熱試驗(yàn)儀